Memòria reprogramable
Una memòria reprogramable és un cas particular de memòria no volàtil en què el seu contingut es pot variar després de programada. El primer dispositiu de memòria no volàtil va ser proposat per Kahng i Sze el 1967. Aquests dispositius es basen en la modificació de la càrrega elèctrica atrapada a la porta d'un transistor mos. Hi ha diverses estructures per aconseguir això.[1]
- Les principals són
- Estructura FAMOS
- Estructura MIOS
- Estructura SAMOS
Estructura FAMOS
modifica
L'estructura FAMOS (Floating-gate Avalanche-injection MOS) es mostra a la figura 1. És un transistor MOS amb la seva porta de polisilici aïllada totalment per diòxid de silici. Per gravar la memòria, el drenador es polaritza fin arribar a la tensió d'allau i els electrons d'allau s'injecten en l'òxid. Aquesta càrrega modifica la tensió llindar del transistor. Per eliminar la càrrega es fa servir llum ultraviolada o raigs X. FAMOS és la base de les memòries EPROM.
Estructura MIOS
modifica
L'estructura MIOS ( M et al- I nsulator-Si O 2 - S i ) és un transistor MOS amb dues capes de dielèctrics diferents a la porta. La classe més popular és la MNOS ( M et al- N itrur de silici- O xid de silici- S Ilici ). Els electrons creuen el SiO 2 per efecte túnel i la capa de nitrur per emissió de Frankel-Poole. Els MIOS es poden esborrar elèctricament, i són la base de les memòries EAROM ( Electrically alterable ROM )
Estructura SAMOS
modifica
L'estructura SAMOS (Stack-gate A valanche-injection MOS) (Figura 3) prové de la FAMOS, afegint-li una segona porta. Aquesta segona porta, a més de permetre l'esborrat elèctric, en facilita l'escriptura. Aquesta estructura és la base de les memòries EEPROM
Vegeu també
modificaReferències
modifica- ↑ Enrique Mandado Pérez. Microcontroladores PIC: sistema integrado para el autoaprendizaje. Marcombo, abril 2007, p. 35–. ISBN 978-84-267-1431-2 [Consulta: 10 setembre 2011].