180 nm 공정

180 nm(나노미터) 공정 또는 0.18 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 180 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1999년에서 2000년 경 인텔, IBM, 텍사스 인스트루먼트, TSMC와 같은 회사가 달성하였다.

180 나노미터라는 값의 기원은 매 2 ~ 3년마다 반도체의 게이트 길이를 이전 세대의 공정에 비해 70% 수준으로 축소하는 것을 반영한 동향에서 나왔다. 180 나노미터의 공식적인 명칭은 국제 반도체 기술 로드맵(ITRS)에서 확정하였다.

인텔 펜티엄 III의 코퍼마인은 이 공정으로 제조된 최초의 CPU 중 하나이다. 이 CPU의 게이트 길이는 광석판인쇄(光石版印刷)에서 사용되는 공정보다 더 미세한 공정을 사용한 최초의 CPU이다. (광석판인쇄에서 사용되는 가장 미세한 공정은 193 나노미터이다.)

최근에도 이 공정 기술을 적용해 마이크로컨트롤러와 마이크로프로세서를 만드는데 값이 싸고, 기존의 장비를 업그레이드하지 않아도 되기 때문이다. 최근 생산되는 제품 중에는 PIC 마이크로컨트롤러, 패럴랙스 프로펠러(Parallax Propeller) 등이 있다.

180 나노미터 제조 공정을 적용한 프로세서

반도체 소자 제조

MOSFET 스케일링 (공정 노드)
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
미래 002 nm – 2024
하프 노드 집적도 CMOS 소자 (멀티게이트) 무어의 법칙 반도체 산업 나노전자
v • d • e • h