LPDDR: відмінності між версіями

'''LPDDR'''&nbsp;— тип [[оперативна пам'ять|оперативної пам'яті]] для [[смартфон]]ів і [[Планшетний комп'ютер|планшетів]]. Відомий також під назвами mDDR, Low Power DDR . Підтримуються пристрої з стандартом JEDEC 209<ref>[{{Cite web |url=http://processors.wiki.ti.com/index.php/LPDDR |title=LPDDR-Texas Instruments wiki] |accessdate=2 січня 2014 |archive-date=5 березня 2012 |archive-url=https://web.archive.org/web/20120305050353/http://processors.wiki.ti.com/index.php/LPDDR }} {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20120305050353/http://processors.wiki.ti.com/index.php/LPDDR |date=2012-03-05 }}</ref>

Оригінальна LPDDR (LPDDR1)&nbsp;— це модифікація пам'яті [[DDR SDRAM]] c деякими змінами для зниження енергоспоживання. Найважливіша зміна&nbsp;— зниження напруги живлення з 2,5 до 1,8 V. Додаткова економія здійснюється за рахунок збільшення часу оновлення при низькій температурі ([[DRAM]] рідше оновлюється при низьких температурах), частковий блок самооновлення і режим «Глибокий сон» (deep power down), який стирає з пам'яті абсолютно все. Плюс до всього, мікросхеми дуже маленького розміру і, відповідно, займають менше місця на платі, ніж їхні комп'ютерні аналоги . Samsung і Micron є провідними виробниками та постачальниками цього типу пам'яті. LPDDR використовується на таких планшетах, як [[Apple Inc.|Apple]] [[iPad]], [[Samsung Electronics|Samsung]] [[Samsung Galaxy Tab|Galaxy Tab]] і в телефоні [[Motorola]] Droid X.

LPDDR2 схожа на стандартну LPDDR, але з деякими змінами в блоці перезарядки<!-- може "оновлення", "регенерації"? див. англ. версію статті -->.

Робота з 1,2 В LPDDR2 [[Мультиплексування|мультиплексує]] управління по [[Шина адреси|адресній лінії]] 10-бітної двохтактної [[Комп'ютерна шина|шини]] передачі даних CA. Команди аналогічні до команд комп'ютерних модулів [[SDRAM]] за винятком перерозподілу попереднього заряду і кодів операції запобігання загорянь.

У травні 2012<ref>[http://www.electroiq.com/articles/sst/2012/05/jedec-publishes-lpddr3-standard-for-low-power-memory-chips.html JEDEC publishes LPDDR3 standard for low-power memory chips] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20120520044744/http://www.electroiq.com/articles/sst/2012/05/jedec-publishes-lpddr3-standard-for-low-power-memory-chips.html |date=20 травня 2012 }}, Solid State Technology magazine</ref> JEDEC опублікував стандарт JESD209&nbsp;— 3 «Low Power Memory Device Standard»<ref name="lpddr3">[http://www.jedec.org/sites/default/files/docs/JESD209-3.pdf JESD209-3 LPDDR3 Low Power Memory Device Standard], JEDEC Solid State Technology Association</ref> . У порівнянні з LPDDR2 в LPDDR3 пропонується більш високавища швидкість обміну даними, збільшено енергоефективність щільність пам'яті. Пам'ять LPDDR3 може працювати на швидкостях до 1600 MT / s (мільйонів передач в секунду) і використовує такі нові технології як : write&nbsp;— leveling, command / address training,,<ref>[http://denalimemoryreport.com/2012/06/13/want-a-quick-and-dirty-overview-of-the-new-jedec-lpddr3-spec-eetimes-serves-it-up/ Want a quick and dirty overview of the new JEDEC LPDDR3 spec? EETimes serves it up] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20130728110139/http://denalimemoryreport.com/2012/06/13/want-a-quick-and-dirty-overview-of-the-new-jedec-lpddr3-spec-eetimes-serves-it-up/ |date=28 липня 2013 }}, Denali Memory Report</ref> опційне внутрішньосхемне переривання (optional on&nbsp;— die termination, ODT), а також має низьку ємність контактів введення-виведення. LPDDR3 використовують як в мікрозбірках package&nbsp;— on&nbsp;— package (PoP), так і в окремих мікросхемах пам'яті.

Кодування команд ідентично LPDDR2 , вони передаються по 10&nbsp;— бітовій шині CA з подвоєнням частоти проходження даних (''double data rate'')<ref name="lpddr3"/> . Однак стандарт містить опис тільки DRAM типу 8n&nbsp;— prefetch, і не описує команди управління для флеш -пам'яті.

Samsung прогнозував, що LPDDR3 дебютує в 2013 році з частотами 800 МГц (1600 MT/s), надаючи пропускну здатність порівнянну (без урахування багатоканальності) з пам'яттю PC3- 12800 SODIMM 2011 (12,8 ГБ/с)<ref>[http://www.brightsideofnews.com/news/2012/6/27/samsung-lpddr3-high-performance-memory-enables-amazing-mobile-devices-in-20132c-2014.aspx Samsung LPDDR3 High-Performance Memory Enables Amazing Mobile Devices in 2013, 2014] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20120702084801/http://www.brightsideofnews.com/news/2012/6/27/samsung-lpddr3-high-performance-memory-enables-amazing-mobile-devices-in-20132c-2014.aspx |date=2 липня 2012 }}&nbsp;— Bright Side of News</ref>. Масовий випуск 3-гігабайтної LPDDR3 компанією Samsung Electronics був оголошено 24 липня 2013 року.

Такий тип пам'яті використовується, наприклад, в телефоні [[Samsung Galaxy S4]]<ref>[{{Cite web |url=http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16/62/81%2F62%2F81 |title=Смартфон Samsung Galaxy S IV представлен официально&nbsp; — iXBT] |accessdate=15 лютого 2019 |archiveurl=https://web.archive.org/web/20171023003721/http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?16%2F62%2F81 |archivedate=23 жовтня 2017 |deadurl=yes }}</ref>..

* [https://web.archive.org/web/20080520121425/http://www.micron.com/products/dram/mobiledram Micron]

* [https://web.archive.org/web/20110829044651/http://www.elpida.com/en/products/mobile.html Elpida]

* [http://www.nanya.com/PageEdition1.aspx?Menu_ID=138&lan=en-us&def=230&isPrint=&KeyWords= Nanya] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20141021194351/http://www.nanya.com/PageEdition1.aspx?Menu_ID=138&lan=en-us&def=230&isPrint=&KeyWords= |date=21 жовтня 2014 }}

* [http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/product/mobile-dram/overview Samsung] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20140114110214/http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/product/mobile-dram/overview |date=14 січня 2014 }}

* JEDEC pages: [http://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd209-3 LOW POWER DOUBLE DATA RATE 3 SDRAM (LPDDR3)] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20140222210654/http://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd209-3 |date=22 лютого 2014 }}