LPDDR
LPDDR — тип оперативної пам'яті для смартфонів і планшетів. Відомий також під назвами mDDR, Low Power DDR . Підтримуються пристрої з стандартом JEDEC 209[1]
LPDDR
Оригінальна LPDDR (LPDDR1) — це модифікація пам'яті DDR SDRAM c деякими змінами для зниження енергоспоживання. Найважливіша зміна — зниження напруги живлення з 2,5 до 1,8 V. Додаткова економія здійснюється за рахунок збільшення часу оновлення при низькій температурі (DRAM рідше оновлюється при низьких температурах), частковий блок самооновлення і режим «Глибокий сон» (deep power down), який стирає з пам'яті абсолютно все. Плюс до всього, мікросхеми дуже маленького розміру і, відповідно, займають менше місця на платі, ніж їхні комп'ютерні аналоги . Samsung і Micron є провідними виробниками та постачальниками цього пам'яті. LPDDR використовується на таких планшетах, як Apple iPad, Samsung Galaxy Tab і в телефоні Motorola Droid X.
LPDDR2
Новий стандарт JEDEC JESD209-2E перероблений для інтерфейсів DDR з низьким енергоспоживанням. Він несумісний з DDR і DDR2 SDRAM. Може використовуватися в наступних інтерфейсах :
- LPDDR2 — S2: 2n пам'ять з передвибіркою (DDR1) ;
- LPDDR2 -S4 : 4n пам'ять з передвибіркою (DDR2) ;
- LPDDR2 — N: НЕРУЙНІВНА (NAND flash) пам'ять .
LPDDR2 схожа на стандартну LPDDR, але з деякими змінами в блоці перезарядки.
Таймінги задаються для LPDDR — 200 LPDDR — 1066 (тактова частота від 100 до 533 МГц).
Робота з 1,2 В LPDDR2 мультиплексує управління по адресній лінії 10-бітної двохтактної шини передачі даних CA. Команди аналогічні до команд комп'ютерних модулів SDRAM за винятком перерозподілу попереднього заряду і кодів операції запобігання загорянь.
LPDDR3
У травні 2012[2] JEDEC опублікував стандарт JESD209 — 3 «Low Power Memory Device Standard»[3] . У порівнянні з LPDDR2 в LPDDR3 пропонується більш висока швидкість обміну даними, збільшено енергоефективність щільність пам'яті. Пам'ять LPDDR3 може працювати на швидкостях до 1600 MT / s (мільйонів передач в секунду) і використовує такі нові технології як : write — leveling, command / address training,,[4] опційне внутрішньосхемне переривання (optional on — die termination, ODT), а також має низьку ємність контактів введення-виведення. LPDDR3 використовують як в мікрозбірках package — on — package (PoP), так і в окремих мікросхемах пам'яті.
Кодування команд ідентично LPDDR2 , вони передаються по 10 — бітовій шині CA з подвоєнням частоти проходження даних (double data rate)[3] . Однак стандарт містить опис тільки DRAM типу 8n — prefetch, і не описує команди управління для флеш -пам'яті.
Samsung прогнозував, що LPDDR3 дебютує в 2013 році з частотами 800 МГц (1600 MT/s), надаючи пропускну здатність порівнянну (без урахування багатоканальності) з пам'яттю PC3- 12800 SODIMM 2011 (12,8 ГБ/с)[5]. Масовий випуск 3-гігабайтної LPDDR3 компанією Samsung Electronics був оголошено 24 липня 2013 року.
Такий тип пам'яті використовується, наприклад, в телефоні Samsung Galaxy S4[6]..
Примітки
- ↑ LPDDR-Texas Instruments wiki
- ↑ JEDEC publishes LPDDR3 standard for low-power memory chips, Solid State Technology magazine
- ↑ а б JESD209-3 LPDDR3 Low Power Memory Device Standard, JEDEC Solid State Technology Association
- ↑ Want a quick and dirty overview of the new JEDEC LPDDR3 spec? EETimes serves it up, Denali Memory Report
- ↑ Samsung LPDDR3 High-Performance Memory Enables Amazing Mobile Devices in 2013, 2014 — Bright Side of News
- ↑ Смартфон Samsung Galaxy S IV представлен официально — iXBT
Посилання
- Micron
- Elpida
- Nanya
- Samsung
- JEDEC pages: LOW POWER DOUBLE DATA RATE 3 SDRAM (LPDDR3)
|
Це незавершена стаття про інформаційні технології. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |