イオン入射の英語

イオンの入射エネルギーは、２ｅＶ以上且つ２０ｅＶ以下である。例文帳に追加

The incident energy of ion is equal to or more than 2 eV and less than 20 eV. - 特許庁

プラズマ源，それを用いた高周波イオン源，負イオン源，イオンビーム処理装置，核融合用中性粒子ビーム入射装置例文帳に追加

PLASMA SOURCE, HIGH FREQUENCY ION SOURCE USING IT, NEGATIVE ION SOURCE, ION BEAM PROCESSOR, NEUTRAL PARTICLE BEAM INCIDENT DEVICE FOR NUCLEAR FUSION - 特許庁

電場Ｅ１とＥ６の間には、イオン源で生成された試料イオンをイオン軌道に向けて入射させるための偏向電場Ｅ０が配置されている。例文帳に追加

A deflection electric field E0 for making a sample ion generated by an ion source incident toward the ion orbit. - 特許庁

さらにイオン反射器４でイオンを折り返すことで収差による誤差を修正した上で、イオン検出器５に入射する。例文帳に追加

After an error due to aberration is corrected by further turning back the ions by an ion reflector 4, the ions are entered into an ion detector 5. - 特許庁

基板に入射するスポット状のイオンビームを構成するイオンまたはイオンビームの入射角度を精密に測定することのできるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanter capable of accurately measuring an incident angle of ion or ion beams constituting spot-like ion beams incident on a base plate. - 特許庁

これにより、軸Ｃに沿って入射するイオンのみならず斜めに入射するイオンをも効果的に減速し、イオンを長い時間イオントラップ空間１に留めることができる。例文帳に追加

By this, not only an ion incident along an axis C but also obliquely incident ions is decelerated effectively, and the ion can be retained in the ion trap space 1 for a long time. - 特許庁

イオントラップから衝突ダンピング部へイオン入射可能、または入射不可能とするイオン透過調整機構１４をイオントラップ部と衝突ダンピング部との間に設ける。例文帳に追加

An ion transmission adjusting mechanism 14 which permits/prohibits emission of ion from the ion trap to the collision damping part is provided between the ion trap part and the collision damping part. - 特許庁

このため、スパッタリングターゲット２に入射する正イオンである入射イオン２０は、スパッタ面である傾斜面２ａに対して斜めに入射角θ_1で入射する。例文帳に追加

Incident ions 20 which are incident positive ions on the sputtering target 2 are made incident at an incident angle θ_1 diagonally with the slopes 2a which are the sputtering surfaces. - 特許庁