ダブルヘテロ接合の英語

本発明は、波長０．４〜８μｍの赤外領域で発振し、波長可変で室温付近で動作するレーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造および量子井戸構造のレーザ素子を製作可能な固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a laser element and a material for solid-solution semiconductor laser element, with which a laser element which oscillates in an infrared region of wavelength 0.4-8 μm and operates near room temperature with variable wavelength, especially a laser element of a lattice matched double heterojunction structure and a quantum well structure is manufactured. - 特許庁

本発明は、紫外可視波長領域で発光し、波長可変で室温付近で動作する発光素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造、量子井戸構造および量子ドット構造の発光素子を製作可能な固溶半導体発光素子用材料および発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a material for solid solution semiconductor light emitting element for manufacturing a light emitting element which emits light in an ultraviolet visible wavelength region, is variable in wavelength and operates near room temperature, especially the light emitting element having a lattice matching double hetero-junction structure, a quantum well structure, and a quantum dot structure; and to provide the light emitting element. - 特許庁

活性層２の両側に活性層２よりも禁制帯幅の大きいｐ型とｎ型のクラッド層３，４を積層したダブルヘテロ接合構造であって、活性層２に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造１である。例文帳に追加

The rare earth added semiconductor laminate structure 1 for a light emitting element has a double heterojunction structure in which p-type and n-type clad layers 3 and 4 with forbidden band width larger than an active layer 2 are laminated on both sides of the active layer 2, and where the active layer 2 is added with rare earth element or both rare earth element and oxygen. - 特許庁

本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。例文帳に追加

This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12. - 特許庁

結晶基板１０１上に、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体からなる下部障壁層１０４とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層１０５とｐ形の上部障壁層１０６とを順次積層したｐｎ接合型ダブルヘテロ構造の発光部を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、上部障壁層を、ｐ形のリン化硼素（ＢＰ）系半導体とする。例文帳に追加

The group III nitride-based semiconductor light emitting element has a light emitting part of pn junction double heterostructure obtained by forming a lower barrier layer 104 of n-type group III nitride-based semiconductor, a light emitting layer 105 of III nitride semiconductor, and a p-type upper barrier layer 106 sequentially on a crystal substrate 101. - 特許庁