一電子捕獲の英語

Ｈｅ中の放電を利用する電子捕獲検出器において、イオン化した有機物による検出用電極間電流の一時的増加による反転ピークの発生が抑制され、高感度な電子捕獲検出器を実現する。例文帳に追加

To obtain high sensitivity by suppressing the occurrence of an inverted peak due to a temporary increase in the current between electrodes for detection by an ionized organized matter in an electron capturing detector utilizing discharge in He. - 特許庁

プラズマを発生させると、プラズマの電子がプローブ６２に捕獲され、これによりペルチェ素子５の一面側が吸熱してウエハが冷却される。例文帳に追加

When plasma is generated, the electron of plasma is captured by the probe 62, which makes one side of the Peltier element 5 absorb heat to cool the wafer. - 特許庁

プラズマ密度が大きいところではペルチェ素子５に捕獲される電子量が多く、冷却効果が大きくなり、逆にプラズマ密度が小さいところでは冷却効果が小さくなるので、ウエハの面内温度の均一性を高めることができる。例文帳に追加

The amount of electrons captured by the Peltier element 5 is large where plasma density is high, resulting in higher cooling effect, while the cooling effect is lower where the plasma density is low, so the uniformity of in-plane temperature of the wafer is improved. - 特許庁

第１電極１１と、第２電極１２と、第１電極と直接、及び第２電極と直接或いは間接に接続する可変抵抗体１５を備える不揮発性可変抵抗素子において、可変抵抗体材料として、酸素が欠損したサイトを有し、当該酸素欠損サイトに少なくとも一個の電子が捕獲された第１状態と捕獲されていない第２状態との双方で安定な構造をとることのできる金属酸化物を用いる。例文帳に追加

In a nonvolatile variable-resistance element equipped with: a first electrode 11; a second electrode 12; and a variable resistor 15 connected directly to the first electrode and directly or indirectly to the second electrode, a metal oxide having a site with oxygen missed and taking a stable structure in both a first condition where at least one electron is trapped in the site with oxygen missed and a second condition without trapping an electron is used as a variable resistor material. - 特許庁

制御回路は、メモリトランジスタから記憶情報を読み出す前に、界面（３７Ａ、３７Ｃ）とゲート絶縁膜のバルク（３７Ｂ）からなるＲＴＳ依存領域（Ａ）に存在するＲＴＳ発生要因電子（Ｂ）を一時的に排除するための電圧、又はＲＴＳ依存領域にＲＴＳ発生要因電子を一時的に捕獲するための電圧を、メモリトランジスタの選択端子に印加する。例文帳に追加

Before stored information is read from the memory transistors, the control circuit applies voltage for rejecting temporarily RTS occurrence cause electrons (B) existing in a RTS depending region (A) consisting of boundaries 37A, 37C and a bulk 37B of the gate insulation film and voltage for catching temporarily the RTS occurrence cause electrons in the RTS depending region to selection terminals of the memory transistors. - 特許庁