強磁性層２／トンネル障壁層３／強磁性層４構造の強磁性トンネル接合１、あるいは強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層／トンネル障壁層／強磁性層構造の強磁性二重トンネル接合を有し、強磁性層間の磁化の相対角度により変化するトンネル抵抗を利用した磁気素子である。例文帳に追加

A magnetic element is possessed of a ferromagnetic tunnel junction 1 of layered structure composed of ferromagnetic layer 2/tunnel barrier layer 3/ferromagnetic layer 4 or a ferromagnetic double tunnel junction of layered structure composed of ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ ferromagnetic layer/tunnel barrier layer/ferromagnetic layer, where it is utilized that a tunnel resistance changes with a relative angle of magnetization between ferromagnetic layers. - 特許庁

室温で１０００％以上のTMR効果が得られる低抵抗の二重障壁強磁性トンネル接合と、この二重障壁強磁性トンネル接合を用いた磁気デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a double barrier ferromagnetic tunnel junction having a low resistance and capable of obtaining a TMR effect of 1,000% or more at room temperature, and to provide a magnetic device using the double barrier ferromagnetic tunnel junction. - 特許庁

磁気的に軟らかい基準層に基づいた二重トンネル接合セル(108,110)を含む磁気メモリデバイス(100)が開示される。例文帳に追加

A magnetic memory device (100) including double tunnel junction cells (108, 110) based on a magnetically soft reference layer is disclosed. - 特許庁

例文

磁気トンネル接合構造を構成する自由磁性層を、磁気異方性の方向及び大きさが異なる少なくとも２つの磁性薄膜で構成することにより、再生信号値の増大及びスイッチングに必要な臨界電流値の低減効果を独立して最適化することのできる、二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic tunnel junction structure having a double magnetic anisotropy free layer capable of independently optimizing the effect of increasing a reproduced signal value and reducing a critical current value required for switching by constituting a free magnetic layer constituting the magnetic tunnel junction structure with at least two magnetic thin films having different magnetic anisotropic directions and sizes. - 特許庁

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「二重トンネル接合」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10件

例文

強磁性層二重トンネル接合において、強磁性層１，３，５の磁性元素の割台が異なる、あるいはバリア層２，４の含有元素が異なるように構成することにより、ウエハー面内のＭＲ比のバラツキを小さくし、大きな出力信号電圧を得る。例文帳に追加

The high output signal voltage is obtained by making the fluctuation of an MR ratio smaller in the surface of a wafer by constituting ferromagnetic layers 1, 3, and 5 so that the ratio of the magnetic element of the layers 1, 3, and 5 is different, or element contents of barrier layers 2 and 4 may are different from each other in a ferromagnetic double-layered tunnel junction. - 特許庁

基板１１上にゲート絶縁膜１２を形成し、その上にＺｎＯなどの酸化物半導体から成る複数のナノドット１３ａが一面内において二重ショットキー障壁１３ｂを介して互いに接合した多重ナノドット構造体１３を形成し、その上にソース電極１４およびドレイン電極１５を形成することにより、ＭＯＳＦＥＴ構造のトンネル負性抵抗素子を構成する。例文帳に追加

A tunnel negative resistance element having a MOSFET structure is composed by forming a gate insulation film 12 on a substrate 11, forming thereon a multiple nanodot structure 13 composed of a plurality of nano-dots 13a which are made of an oxide semiconductor such as ZnO, etc. and mutually bonded through a double Schottky barrier 13b in one plane, and forming a source electrode 14 and a drain electrode 15 thereon. - 特許庁