表面再結合の英語

比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたＦＫ振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for measuring surface carrier recombination speed capable of obtaining surface Fermi level even from FK oscillation influenced by probe light having relatively large intensity and at the same time capable of determining surface recombination speed. - 特許庁

基板の回転により、混合ガスが層流（２９）にて基板表面に向かって下方に移動され、再循環やラジカルの再結合を低減する。例文帳に追加

The mixed gas moves downward toward the surface of the substrate in a laminar flow (29) state by the rotation of the substrate to reduce recirculation and recombination of the free radical. - 特許庁

エピタキシャル層またはSOI層の再結合ライフタイムを、前記ウェーハに対して第一の表面不活性化処理を行った後に測定される第一の再結合ライフタイムと、前記第一の再結合ライフタイム測定後のウェーハに対して第二の表面不活性化処理を行った後に測定される第二の再結合ライフタイムを用いて求める。例文帳に追加

The recombination life time of the epitaxial layer or the SOI layer is obtained by employing a first recombination life time measured after applying a first surface non-activation process with respect to the wafer, and a second recombination life time measured after applying a second surface non-activation process with respect to the wafer after measuring the first recombination life time. - 特許庁

表面再結合を抑制するためのケミカル・パッシベーションを、ワックス又は樹脂にて半導体試料の表面をコーティングして同表面を前記パッシベーション状態にすることで実施する。例文帳に追加

Chemical passivation for inhibiting surface recombination is executed by coating the semiconductor sample surface by wax or resin for setting the surface to a passivation state. - 特許庁

すなわち、突起２４が設けられることによって表面１４の表面積が増大されている場合にはイオン化速度が高められ、裏面１６の表面積が増大されている場合には再結合速度が高められる。例文帳に追加

That is, an ionization velocity is increased in the case that the surface area of the surface 14 is increased by providing the projections 24 and a recombination velocity is increased in the case that the surface area of the back surface 16 is increased. - 特許庁

これにより、空孔１６の内壁付近において正孔と電子が再結合して光ではなく熱を発生すること（表面再結合）を抑えることができ、発光効率及びエネルギー効率を高めることができる。例文帳に追加

Consequently, generation of heat (surface recombination) instead of light, due to recombination of the holes and electrons near the inner wall of the holes 16 can be suppressed and thereby the light emission efficiency and energy efficiency can be improved. - 特許庁

低汚染で高ライフタイムのシリコンウェーハにおいてウェーハ表面での再結合過程を抑制し、適切な再結合ライフタイムが測定できるような前処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a preprocessing method for recombination lifetime evaluation in which a suitable recombination lifetime is measured by suppressing a recombination process on a wafer surface of a low-contamination and long-lifetime silicon wafer. - 特許庁

色素増感型太陽電池の酸化物半導体表面での電荷再結合速度を低下させ、色素増感型太陽電池の効率を向上させる。例文帳に追加

To provide a dye-sensitized solar cell in which charge recombination speed on the oxide semiconductor surface of the solar cell is decreased and efficiency is improved. - 特許庁