AL-1とは 意味・読み方・使い方

(1) 3.0≥{([%Si]/2)+[%Mn]+[%Cr]}≥2.4; and (2) 2.5≥[%Al]/[%N]≥1.7.例文帳に追加

3.0 ≧｛（[%Si]/2）＋[%Mn]＋[%Cr]｝≧ 2.4 --- (1) 2.5 ≧ [%Al]／[%Ｎ] ≧ 1.7 --- (2) - 特許庁

In the case of being Al≤0.1, 0.014≤Q≤0.016 (1), in the case of being 0.1<Al≤0.18, 0.01≤Q≤0.013 (2) and in the case of being 0.18<Al, 0.006≤Q≤0.008 (3).例文帳に追加

Al≦0.1のとき0.014≦Q≦0.016・・(1)、0.1＜Al≦0.18のとき0.01≦Q≦0.013・・(2)、0.18＜Alのとき0.006≦Q≦0.008・・(3)。 - 特許庁

The value of γp(%) satisfies 20 to 65%, which is calculated by formula (1): γp=420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti]+189, wherein [ ] denotes mass%.例文帳に追加

γp ＝420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti] +189 ……(1) 。 - 特許庁

The inequality 1 is 2×mass%Si+mass%Al+mass%Cr≤7.5.例文帳に追加

２×ｍａｓｓ％Ｓｉ＋ｍａｓｓ％Ａｌ＋ｍａｓｓ％Ｃｒ≦７．５・・・（式１） - 特許庁

A semiconductor device is a group-III nitride semiconductor heterojunction field effect transistor, having a heterojunction formed on a channel layer 2 of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1) as an electron supply layer 3 of Al_zGa_1-zN (Al composition z satisfies 0≤z≤1).例文帳に追加

半導体装置は、Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)のチャネル層２上に、Al_zGa_1-zN(Al組成zは0≦z≦1)の電子供給層３から成るヘテロ接合を形成したIII族窒化物半導体ヘテロ接合電界効果型トランジスタである。 - 特許庁

Further, as to the metal composite material in this invention, at least one kind of metallic continuous phase selected from the groups consisting of aluminum, an Al-Si, an Al-Cu, an Al-Mg, an Al-Si-Cu and an Al-Si-Mg composite is present in the gaps of the porous preform.例文帳に追加

また、本発明の金属基複合材料は、多孔質プリフォームの空隙に、連続相としてアルミニウム、Al−Si系、Al−Cu系、Al−Mg系、Al−Si−Cu系、Al−Si−Mg系からなる群から選択される少なくとも1種の金属連続相が存在することを特徴とする。 - 特許庁

The maximum size of the grains of the respective crystallized products is 0.1 to 1 μm, and also, the mass ratio of Al to Mn: Al/Mn is 2 to 5.例文帳に追加

各晶出物の粒子は、最大径が0.1μm以上1μm以下であり、かつMnに対するAlの質量比:Al/Mnが2以上5以下である。 - 特許庁