CVD法の英語

The thin film material of photocatalyst which develops an active function as photocatalyst, is obtained by means of forming an island- shaped film 2a on a substrate 1 by a CVD or PVD method, and growing a tabular crystalline 2d by the CVD or PVD method on the island-shaped film 2a as a core.例文帳に追加

CVD法またはPVD法で基板１上に島状膜２ａを形成させ、その島状膜２ａを核として、CVD法またはPVD法で板状の結晶２ｄを成長させることにより、高活性な光触媒機能を発現する光触媒薄膜材料を得られる。 - 特許庁

After pocket regions 20 and 22 are formed by ion implantation process with the insulating film 12 and the electrode 16 as masks, the electrodes 16 and 18 are covered to form an insulating layer 26 by a CVD method, etc.例文帳に追加

絶縁膜１２及び電極１６をマスクとするイオン注入処理によりポケット領域２０，２２を形成した後、電極１６，１８を覆って絶縁層２６をCVD法等により形成する。 - 特許庁

Amorphous thin silicon films can be formed simultaneously on the opposite sides of a glass substrate by depositing amorphous thin silicon films on the glass substrate by low pressure (LP)-CVD method.例文帳に追加

減圧(LP)-CVD法により非晶質シリコン薄膜をガラス基板上に堆積することによりガラス基板両面に一度に非晶質シリコン薄膜を形成することができる。 - 特許庁

A top clad layer is just to be formed after the heat treatment if required, and can be formed using a CVD method represented by plasma CVD or a PVD method such as a sputtering method.例文帳に追加

トップクラッド層は、必要ならば熱処理後に形成すれば良く、プラズマCVDで代表されるCVD法、あるいはスパッタ法などのPVD法等を用いて形成することができる。 - 特許庁

To speed up film formation for obtaining good film quality at manufacturing a silicon group thin-film photoelectric transfer layer comprising crystalline on a low-cost substrate at a low temperature by means of plasma CVD method.例文帳に追加

安価な基板上に結晶質を含むシリコン系薄膜光電変換層をプラズマCVD法によって低温で製造する際に成膜速度を向上させ、良好な膜質を得ることを目的とする。 - 特許庁

When forming the protective film which protects the main magnetic pole, the film is deposited by a sputtering system with a bias or by a carousel type sputtering system or a chemical vapor deposition (CVD) method.例文帳に追加

主磁極を保護する保護膜の形成時に、スパッタ装置でバイアスをかけて成膜するか、あるいは、カルーセル型スパッタ装置やケミカルベーパーデポジション（CVD）法で成膜する。 - 特許庁

To solve the problem of difficulty in control of the thickness reproducibility of a metal oxide film due to the influence by surface conditions of a substrate in the formation of the metal oxide film on the substrate by an open-air CVD process.例文帳に追加

金属酸化物膜を大気開放型CVD法により基材に形成する際に、基材の表面状態の影響を受け、金属酸化膜厚や再現性の制御が困難である。 - 特許庁

When the film 4 is formed by the P-CVD method and/or the temperature is raised after the formation of the Si_3N_4 insulating film 4, pinholes P are formed through the film 4 from the surface of the film 4 to a GaN layer 3.例文帳に追加

この-CVD法によるSi_3N_4膜４の形成時、および／もしくは、形成後温度上昇をさせた際に、該Si_3N_4膜４にその表面からGaN層３に貫通するピンホールＰが生じる。 - 特許庁