IILとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device, wherein a plurality of IIL devices and a bipolar transistor are formed on the same semiconductor substrate, by which ion implantation process into bases of the IIL devices and the bipolar transistor is made common to manufacture at low cost, the device is compact, and the flexibility of the design of a logic circuit will not deteriorate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

複数のＩＩＬ素子とバイポーラトランジスタとが同じ半導体基板に形成されてなる半導体装置であって、ＩＩＬ素子とバイポーラトランジスタのベースのイオン注入工程を共通化して安価に製造することができ、小型で、論理回路設計の自由度が低下することのない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A P type diffusion layer 106 to become an emitter layer of a horizontal PNP transistor of the IIL and a P type diffusion layer 107 to become a collector layer are formed on the first element region.例文帳に追加

第１の素子領域にはＩＩＬの横型ＰＮＰトランジスタのエミッタ層となるＰ型拡散層１０６と、コレクタ層となるＰ型拡散層１０７が形成される。 - 特許庁

This conductive state makes TRs Q4, Q5 conductive in a current source circuit for each circuit including an IIL block so as to turn off the current source circuit for each circuit that receives power from a power supply VCC2, thereby realizing power saving.例文帳に追加

これがＩＩＬブロックを含めた各回路の電流源回路のトランジスタＱ４とトランジスタＱ５をオンさせることになり、ＶＣＣ２からの各回路の電流源回路がオフされパワーセーブが実現される。 - 特許庁

A multi-collector type npn transistor Tr1 included in the IIL element comprises an n-type emitter layer Tr1E, p-type base layer Tr1B, and n-type collector layer Tr1C which are formed vertically in this order from the rear face to the front face side of a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

ＩＩＬ素子に含まれたマルチコレクタ型ＮＰＮトランジスタＴｒ１は、半導体基板１０１の裏面側から表面側へ向かう縦方向に順にＮ型エミッタ層Ｔｒ１Ｅ、Ｐ型ベース層Ｔｒ１Ｂ、Ｎ型コレクタ層Ｔｒ１Ｃを備える。 - 特許庁

Inverters 11, 14, and 17 of IIL(integrated injection logic) constitution are connected in series between the collector of a PNP type transistor(TR), which allows and inhibits the oscillation of the oscillation circuit and the base of an NPN type TR which discharges accumulated electric charges of a capacitor 2.例文帳に追加

発振回路の発振の許可及び禁止を制御するＰＮＰ型トランジスタ１０のコレクタと、コンデンサ２の蓄積電荷の放電を行うＮＰＮ型トランジスタ７のベースとの間に、ＩＩＬ構成のインバータ１１，１４，１７を直列接続した。 - 特許庁

To suppress a property variation caused by contamination or damage and to improve a reliability by protecting a surface which is in a sensitive state caused by a low impurity concentration of a diffusion layer of an IIL which corresponds to a base region of a PNP bipolar transistor.例文帳に追加

ＩＩＬのＰＮＰバイポーラトランジスタのベース領域に相当する拡散層の不純物濃度が低濃度のために敏感な状態となっている表面を保護して、コンタミネーションやダメージによる特性変動の抑制、信頼性の向上を図る。 - 特許庁