LPCVDとは 意味・読み方・使い方

The method includes a process which forms a gate containing a metal film on one area on a semiconductor substrate, and a process which forms an LPCVD oxidized metal on the whole surface using an LPCVD method which does not cause the oxidization of the metal film.例文帳に追加

半導体基板上の一領域上に、金属膜を含むゲートを形成する段階と、前記金属膜の酸化を誘発させないＬＰＣＶＤ法によって全表面上にＬＰＣＶＤ酸化膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

To provide a method of more effectively cleaning an LPCVD reactor having deposition of silicon nitride at low thermal activation temperatures.例文帳に追加

窒化ケイ素堆積のＬＰＣＶＤリアクターを低熱活性化温度で、より効果的にクリーニングする方法を提供する。 - 特許庁

Next, at least one dual layer, constituted of an undoped amorphous silicon layer and a dopant single layer, is attached by LPCVD.例文帳に追加

次に、アンドープ・アモルファスシリコン層とドーパント単層とからなる少なくとも１つのデュアル層が、ＬＰＣＶＤプロセスによって付着される。 - 特許庁

To provide a nitride film that has characteristics being more superior than a conventional nitride film obtained by the conventional PECVD or LPCVD onto a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、従来のＰＥＣＶＤまたはＬＰＣＶＤによって得られた窒化膜より優れた性質を有する窒化膜を提供する。 - 特許庁

A polysilicon film as the gate-electrode material film 7 is formed on the Hf aluminate film 5 at a temperature of 570°C or higher by an LPCVD method.例文帳に追加

Ｈｆアルミネート膜５上にゲート電極材料膜７としてのポリシリコン膜をＬＰＣＶＤ法により５７０℃以上の温度で形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device manufacturing method, a silicon nitride film 10 having a chlorine concentration of 4×1020 cm-3 or more is formed by the LPCVD method, using Si2Cl6 as an Si material.例文帳に追加

Ｓｉ原料としてＳｉ_2 Ｃｌ_6 を用いて、ＬＰＣＶＤ法により塩素濃度が４×１０^20ｃｍ^-3以上のシリコン窒化膜１０を形成する。 - 特許庁

The lower and upper films 8, 10 are silicon oxide films formed by decomposing TEOS, using the LPCVD method.例文帳に追加

下層膜８及び上層膜１０は、ＬＰＣＶＤ法を用いてＴＥＯＳを分解することにより形成されるシリコン酸化膜である。 - 特許庁

At this time, the film 43a is formed in an LPCVD(low pressure chemical vapor deposition) chamber, which maintains a temperature of 300 to 600°C and a pressure of 0.1 to 1.2 Torr.例文帳に追加

このとき、ＴａＯＮ膜は３００乃至６００℃及び０.１乃至１.２Torrを維持するＬＰＣＶＤチャンバ内で形成される。 - 特許庁