diffusion lineとは 意味・読み方・使い方

Each bit line 21 extending perpendicularly to word lines 11 comprises a diffusion bit line 211 formed in a semiconductor substrate 10 and of a metal line-shaped bit line 212 located above the diffusion bit line 211.例文帳に追加

ワード線１１に直交するビット線２１の各々は、半導体基板１０内に形成された拡散ビット線２１１と、その上方のライン状の金属ビット線２１２とから成る。 - 特許庁

The diffusion bit line 211 is formed also into a line shape below the metal bit line 212, and the metal bit line 212 is connected with the diffusion bit line 211 between the word lines 11.例文帳に追加

拡散ビット線２１１は、金属ビット線２１２の下方に同じくライン状に形成されており、金属ビット線２１２はワード線１１間で拡散ビット線２１１と接続している。 - 特許庁

Expression (I) 1.92<γ, wherein γ represents a diffusion angle giving a 1/10 intensity of the diffusion intensity obtained by extrapolating a straight line that connects the reflection intensity at the angle of ±2 degrees and the reflection intensity at the angle of ±1 degree with respect to the regular reflection direction of diffusion, toward the regular reflection angle of diffusion.例文帳に追加

１．９２＜γ （Ｉ）γ；拡散正反射方向に対して±２度での反射強度と±１度での反射強度とを結ぶ直線を拡散正反射角度に外挿した拡散強度の１／１０の強度を示す拡散角度 - 特許庁

The Vcc line 13a and the N+ diffusion region 19a, the GND line 13b and the N+ diffusion region 19b, and the electrode pad 7 and the N+ diffusion region 19c are electrically connected to each other.例文帳に追加

Ｖｃｃライン１３ａとＮ＋拡散領域１９ａ、ＧＮＤライン１３ｂとＮ＋拡散領域１９ｂ、及び電極パッド７とＮ＋拡散領域１９ｃはそれぞれ電気的に接続されている。 - 特許庁

The storage apparatus comprises a bit line diffusion layer 2 extending in the substrate 1 in columns, an insulating film 14 formed on a region between the bit line diffusion layers 2, word lines 3 on the substrate 1 and the insulating film 14, and bit line backing wiring 7 above the bit line diffusion layers 2.例文帳に追加

基板１中に列方向に延びるビット線拡散層２、ビット線拡散層２の間の領域上に形成された絶縁膜１４、基板１及び絶縁膜１４上のワード線３、ビット線拡散層２上方のビット線裏打ち配線７を備える。 - 特許庁

A transistor includes a gate electrode 2, a gate insulating film 4, and a diffusion layer constituting the diffusion bit line 5.例文帳に追加

トランジスタは、ゲート電極２、ゲート絶縁膜４および拡散ビット線５を構成する拡散層とからなる。 - 特許庁

Further, for example, a deep n+ diffusion layer 10 reaching the n+ buried diffusion layer 8 may be formed in a power line.例文帳に追加

さらに、例えば電源ラインにｎ＋埋込拡散層８に達する深いｎ＋拡散層１０を設けてもよい。 - 特許庁

A bit line diffusion region, shared by SRAM cells on adjacent word lines, may also be made a deep diffusion region.例文帳に追加

また、隣接するワード線上でＳＲＡＭセルが共用するビット線拡散領域も、深い拡散領域にすることができる。 - 特許庁