Nitruro de indio
El nitruro de indio (InN) es un material semiconductor con una pequeña banda prohibida que lo hace potencialmente útil para aplicaciones en células fotoeléctricas y electrónica de alta velocidad[1] La banda prohibida del InN ha sido ahora establecida como ~0.7 eV pero depende de la temperatura[2] (el valor anterior es 1.97 eV).[3]
La masa efectiva del electrón ha sido recientemente determinada usando mediciones con altos campos magnéticos [4][5] como m*=0.055 m0. En aleación con el nitruro de galio (GaN) forma el sistema ternario nitruro de galio-indio (InGaN) que tiene una banda prohibida directa desde el intervalo infrarrojo (0.65eV) hasta el ultravioleta (3.4eV)
Referencias
[editar]- ↑ T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff (Eds), Indium Nitride and Related Alloys (CRC Press, 2009)
- ↑ V. Yu. Davydov et al. (2002). «Absorption and Emission of Hexagonal InN. Evidence of Narrow Fundamental Band Gap» (free download pdf). Phys. Stat. Solidi (b) 229: R1.
- ↑ «Ioffe Institute (InN)». Consultado el 2012.
- ↑ Goiran, Michel; et al.,, (2010). «Electron cyclotron effective mass in indium nitride». APPLIED PHYSICS LETTERS 96: 052117. Bibcode:2010ApPhL..96e2117G. doi:10.1063/1.3304169.
- ↑ Millot, Marius; et al., (2011). «Determination of effective mass in InN by high-field oscillatory magnetoabsorption spectroscopy». Phys. Rev. B 83: 125204. Bibcode:2011PhRvB..83l5204M. doi:10.1103/PhysRevB.83.125204.
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