Pinned Photodiodeとは？ わかりやすく解説

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/03/20 06:50 UTC 版)

「埋込フォトダイオード」の記事における「Pinned Photodiode」の解説

Pinned Photodiode(PPD)はピン留めフォトダイオードとも呼ばれる、埋め込み型フォトダイオードの一種で、受光面が外部電圧によりピン留め固定された受光素子である。ピン留めされる事が残像のない受光素子として機能するために必要条件となる。 往々にして"PINダイオード (p-intrinsic-n Diode)"と混同されることがあるので注意が必要である。 Pinned Photodiodeは必ず埋め込み型フォトダイオードであるが、埋め込み型フォトダイオードは必ずしも Pinned Photodiodeではない。Pinned Photodiodeは必ず受光面の電圧が固定される必要があり、それが残像のない特性を実現する為の必要条件となる。 ソニーから1975年10月23日に出願されたもう1件のNPN接合の発明特許 と、その発展形として1975年11月10日に出願されたPNP接合の発明特許の受光素子構造は、受光面の電圧がピン留め固定された Pinned Photodiode の発明であった。 ソニーのホームページにも「裏面照射型CMOSイメージセンサーに採用されたPinned Photodiode」 と題してCMOSイメージセンサーの発明の歴史がより詳細に解説されている。 また、「戦後日本のイノベーション100選」には「1979年には寺西信一（当時 ＮＥＣ）が、白傷や暗電流を大幅に低減し、残像や転送ノイズを解消する埋込フォトダイオード（Pinned Photodiode）を発明した」 と改良が進められてきた経緯が示されている。

※この「Pinned Photodiode」の解説は、「埋込フォトダイオード」の解説の一部です。
「Pinned Photodiode」を含む「埋込フォトダイオード」の記事については、「埋込フォトダイオード」の概要を参照ください。