Poàn-tō-thé

Pòaⁿ-tō-thé chong-tì chè-chō
MOSFET scaling (process nodes)
010 µm – 1971 nî 006 µm – 1974 nî 003 µm – 1977 nî  1.5 µm – 1981 nî 001 µm – 1984 nî 800 nm – 1987 nî 600 nm – 1990 nî 350 nm – 1993 nî 250 nm – 1996 nî 180 nm – 1999 nî 130 nm – 2001 nî 090 nm – 2003 nî 065 nm – 2005 nî 045 nm – 2007 nî 032 nm – 2009 nî 022 nm – 2012 nî 014 nm – 2014 nî 010 nm – 2016 nî 007 nm – 2018 nî 005 nm – 2020 nî
Bī-lâi 003 nm – ~2022 nî

Poàn-tō-thé (Eng-gí: semiconductor) sī tiān-khì thoân-tō-lu̍t kài tī tō-thé kap cho̍at-iân-thé chi kan ê châi-liāu, sī chin-choē tiān-chú khì-châi ê chè-cho ki-chhó.