32 nanòmetres (32 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 32 nm. És una millora de la tecnologia de 45 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 59 àtoms de llargada.[1][2]