Оксид индия, галлия и цинка
Оксид индия, галлия и цинка (англ. Indium gallium zinc oxide, сокр. IGZO) — полупроводниковый материал, который может быть использован как канал для прозрачных тонкоплёночных транзисторов. Эти материалы могут являться заменой аморфного кремния для активной матрицы ЖК-экранов и дисплеев OLED[1]. Подвижность электронов этого материала в сорок раз выше, чем у аморфного кремния, что позволяет уменьшить размер пикселя (для получения разрешения намного выше, чем формат HDTV) или время отклика экрана. Новые транзисторы на базе технологии IGZO не требуют постоянного обновления своего состояния при показе неподвижного изображения. Это даёт возможность уменьшить влияние интерференции со стороны электронных компонентов экрана и сократить энергопотребление. Использование IGZO ведёт к повышению точности и чувствительности сенсорных панелей[2].
Примечания
[править | править код]- ↑ Sharp IGZO OLED Flexible Display Hands On Video - Mobile Geeks. Дата обращения: 7 марта 2017. Архивировано 7 марта 2017 года.
- ↑ журнал Chip 12/2013, стр.118—119
Ссылки
[править | править код]- IFA: IGZO вместо Retina Архивная копия от 16 сентября 2017 на Wayback Machine
- Photosensitivity of amorphous IGZO TFTs for Active-Matrix Flat-Panel Displays. Дата обращения: 31 декабря 2012. Архивировано 26 января 2013 года.
- JUSUNG Engineering Succeeds in MOCVD IGZO TFT Process and Equipment Development as the First in the World. Дата обращения: 31 декабря 2012. Архивировано из оригинала 26 января 2013 года.
- Sharp starts punching out IGZO LCDs for retina screens
- AU Optronics Corp. AUO Reveals 65-inch 4K by 2K IGZO TV Panel Technology (англ.). www.prnewswire.com. Дата обращения: 17 апреля 2020. Архивировано 1 ноября 2012 года.